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交易加权均d)在T=2K时表面态贡献率随磁场的变化。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，月贵投稿邮箱[email protected]。州市文献链接：QuantitativeAnalysisofWeakAntilocalizationEffectofTopologicalSurfaceStatesinTopologicalInsulatorBiSbTeSe2(NanoLett.,2019,DOI:10.1021/acs.nanolett.8b05186)本文由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。

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d)T=2K和低磁场范围下的BSTS器件在不同的倾斜角θ下测量的磁导率随磁场法线分量的变化曲线，月贵红色实线是使用HLN方程的拟合曲线。

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